其他要求 :
使用范圍：乘用車、新能源汽車、新能源科技等。
產品要求：本項目采用Si基芯片的功率模塊。
主要性能參數 P1功率模塊技術要求 P3功率模塊技術要求
電壓等級 750V 750V
電流等級 400A 820A
開關頻率 10kHz 10kHz
IGBT損耗 開關損耗：71W 開關損耗：233W
導通損耗：18W 導通損耗：271W
FRD損耗 開關損耗：45W 開關損耗：47W
導通損耗：92W 導通損耗：58W
工作結溫 -40℃~150℃ -40℃~150℃
效率 最高效率≥98.5% 最高效率≥98.5%
IGBT芯片 Si基 Si基
FRD芯片 Si基 Si基
DBC材料 增強型氧化鋁陶瓷 增強型氧化鋁陶瓷
底板結構+材料 平板+銅 橢圓pinfin+銅
鍵合線 鋁 鋁
端子 銅+鍍鎳 銅+鍍鎳
殼體 PBT PBT
其他要求：
具有國內主流主機廠或國際知名主機廠配套經驗。
具有有效的IATF16949和ISO14001證書。
具有產品關鍵生產線及規模應用。
具有自主產品過程設計能力。
